新闻资讯

科技改变世界 · 诚信共创未来 · 引领无限可能

推荐解决方案

二十四节气/小雪/冬天

二十四节气/小雪/冬天

二十四节气/小雪/冬天

小雪,是二十四节气中的第 20 个节气。时间在每年公历 11 月 22 或 23 日即太阳到达黄经 240°时。“小雪”是反映气候特征的节气。 在这个小雪节气,让我们珍惜每一个瞬间,感受大自然的馈赠,拥抱生活的美好。愿这个冬天,我们都能被温暖包围,幸福满满。 最后,温馨提醒大家,小雪时节,天气渐冷,记得添衣保暖,照顾好自己和家人哦。
MOSFET(AO3401)+肖特基(1N5819)组合电路

MOSFET(AO3401)+肖特基(1N5819)组合电路

MOSFET(AO3401)+肖特基(1N5819)组合电路

本文介绍电路中,MOS管(AO3401)+肖特基(1N5819)常见组合应用。
新葡亰8883ent与安徽正芯:携手共创半导体辉煌

新葡亰8883ent与安徽正芯:携手共创半导体辉煌

新葡亰8883ent与安徽正芯:携手共创半导体辉煌

广东新葡亰8883ent有限责任公司与安徽正芯电子技术有限公司的携手合作,无疑为半导体行业带来了崭新的发展机遇。 在当前快速发展的科技时代,半导体行业作为关键的支撑产业,其重要性日益凸显。新葡亰8883ent凭借多年在半导体领域的积累和领导地位,与正芯电子的先进技术和创新能力相结合,将形成强大的合力。这种合作不仅有助于提升双方在市场中的竞争力,更能推动整个半导体行业的进步。
碳化硅的主要特性是什么?为什么碳化硅在高频下的性能优于IGBT?

碳化硅的主要特性是什么?为什么碳化硅在高频下的性能优于IGBT?

碳化硅的主要特性是什么?为什么碳化硅在高频下的性能优于IGBT?

碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物,属于宽带隙(WBG)材料家族。它的物理键非常牢固,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性使SiC器件能够在高于硅的结温下使用,甚至超过200°C。碳化硅在电源应用中的主要优势是其低漂移区域电阻,这是高压功率器件的关键因素。今天来分享一下 [“关于氮化镓的10件事”]
中秋佳节 放假通知

中秋佳节 放假通知

中秋佳节 放假通知

尊敬的同仁: 你们好!在此发布公司中秋放假通知。值此佳节来临之际,提前衷心祝愿大家中秋节快乐,生活幸福,万事胜意!
TOLL封装的MOSFET特点以及技术优势

TOLL封装的MOSFET特点以及技术优势

TOLL封装的MOSFET特点以及技术优势

TOLL(Transistor Outline Leadless)封装的MOSFET,由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点,已经在电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户得到广泛使用。